Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MVGSF1N02LT1G

MVGSF1N02LT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
Číslo dílu
MVGSF1N02LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
125pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19367 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MVGSF1N02LT1G
MVGSF1N02LT1G Elektronické komponenty
MVGSF1N02LT1G Odbyt
MVGSF1N02LT1G Dodavatel
MVGSF1N02LT1G Distributor
MVGSF1N02LT1G Datová tabulka
MVGSF1N02LT1G Fotky
MVGSF1N02LT1G Cena
MVGSF1N02LT1G Nabídka
MVGSF1N02LT1G Nejnižší cena
MVGSF1N02LT1G Vyhledávání
MVGSF1N02LT1G Nákup
MVGSF1N02LT1G Chip