Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQU7N20TU
MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Číslo dílu
FQU7N20TU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
690 mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25688 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQU7N20TU
FQU7N20TU Elektronické komponenty
FQU7N20TU Odbyt
FQU7N20TU Dodavatel
FQU7N20TU Distributor
FQU7N20TU Datová tabulka
FQU7N20TU Fotky
FQU7N20TU Cena
FQU7N20TU Nabídka
FQU7N20TU Nejnižší cena
FQU7N20TU Vyhledávání
FQU7N20TU Nákup
FQU7N20TU Chip