Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQU7N10LTU
MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK
Číslo dílu
FQU7N10LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51432 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQU7N10LTU
FQU7N10LTU Elektronické komponenty
FQU7N10LTU Odbyt
FQU7N10LTU Dodavatel
FQU7N10LTU Distributor
FQU7N10LTU Datová tabulka
FQU7N10LTU Fotky
FQU7N10LTU Cena
FQU7N10LTU Nabídka
FQU7N10LTU Nejnižší cena
FQU7N10LTU Vyhledávání
FQU7N10LTU Nákup
FQU7N10LTU Chip