Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Číslo dílu
FQI7N60TU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48324 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQI7N60TU
FQI7N60TU Elektronické komponenty
FQI7N60TU Odbyt
FQI7N60TU Dodavatel
FQI7N60TU Distributor
FQI7N60TU Datová tabulka
FQI7N60TU Fotky
FQI7N60TU Cena
FQI7N60TU Nabídka
FQI7N60TU Nejnižší cena
FQI7N60TU Vyhledávání
FQI7N60TU Nákup
FQI7N60TU Chip