Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI7N10LTU
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Číslo dílu
FQI7N10LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
350 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14004 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQI7N10LTU
FQI7N10LTU Elektronické komponenty
FQI7N10LTU Odbyt
FQI7N10LTU Dodavatel
FQI7N10LTU Distributor
FQI7N10LTU Datová tabulka
FQI7N10LTU Fotky
FQI7N10LTU Cena
FQI7N10LTU Nabídka
FQI7N10LTU Nejnižší cena
FQI7N10LTU Vyhledávání
FQI7N10LTU Nákup
FQI7N10LTU Chip