Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP65N06

FDP65N06

MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Číslo dílu
FDP65N06
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
135W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12744 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP65N06
FDP65N06 Elektronické komponenty
FDP65N06 Odbyt
FDP65N06 Dodavatel
FDP65N06 Distributor
FDP65N06 Datová tabulka
FDP65N06 Fotky
FDP65N06 Cena
FDP65N06 Nabídka
FDP65N06 Nejnižší cena
FDP65N06 Vyhledávání
FDP65N06 Nákup
FDP65N06 Chip