Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP61N20

FDP61N20

MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Číslo dílu
FDP61N20
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
417W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
41 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3380pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31174 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP61N20
FDP61N20 Elektronické komponenty
FDP61N20 Odbyt
FDP61N20 Dodavatel
FDP61N20 Distributor
FDP61N20 Datová tabulka
FDP61N20 Fotky
FDP61N20 Cena
FDP61N20 Nabídka
FDP61N20 Nejnižší cena
FDP61N20 Vyhledávání
FDP61N20 Nákup
FDP61N20 Chip