Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
Číslo dílu
BVSS84LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53123 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova BVSS84LT1G
BVSS84LT1G Elektronické komponenty
BVSS84LT1G Odbyt
BVSS84LT1G Dodavatel
BVSS84LT1G Distributor
BVSS84LT1G Datová tabulka
BVSS84LT1G Fotky
BVSS84LT1G Cena
BVSS84LT1G Nabídka
BVSS84LT1G Nejnižší cena
BVSS84LT1G Vyhledávání
BVSS84LT1G Nákup
BVSS84LT1G Chip