Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
Číslo dílu
BVSS138LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16032 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova BVSS138LT1G
BVSS138LT1G Elektronické komponenty
BVSS138LT1G Odbyt
BVSS138LT1G Dodavatel
BVSS138LT1G Distributor
BVSS138LT1G Datová tabulka
BVSS138LT1G Fotky
BVSS138LT1G Cena
BVSS138LT1G Nabídka
BVSS138LT1G Nejnižší cena
BVSS138LT1G Vyhledávání
BVSS138LT1G Nákup
BVSS138LT1G Chip