Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHD3055E,118
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
Číslo dílu
PHD3055E,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14473 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHD3055E,118
PHD3055E,118 Elektronické komponenty
PHD3055E,118 Odbyt
PHD3055E,118 Dodavatel
PHD3055E,118 Distributor
PHD3055E,118 Datová tabulka
PHD3055E,118 Fotky
PHD3055E,118 Cena
PHD3055E,118 Nabídka
PHD3055E,118 Nejnižší cena
PHD3055E,118 Vyhledávání
PHD3055E,118 Nákup
PHD3055E,118 Chip