Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHD38N02LT,118
MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
Číslo dílu
PHD38N02LT,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
57.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.1nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21291 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHD38N02LT,118
PHD38N02LT,118 Elektronické komponenty
PHD38N02LT,118 Odbyt
PHD38N02LT,118 Dodavatel
PHD38N02LT,118 Distributor
PHD38N02LT,118 Datová tabulka
PHD38N02LT,118 Fotky
PHD38N02LT,118 Cena
PHD38N02LT,118 Nabídka
PHD38N02LT,118 Nejnižší cena
PHD38N02LT,118 Vyhledávání
PHD38N02LT,118 Nákup
PHD38N02LT,118 Chip