onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSBC115EPDXV6T1G
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 100 kΩ, R2 = 100 kΩ
Číslo dílu
NSBC115EPDXV6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-563
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 99963 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
onsemi (Ansemi)
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
onsemi (Ansemi)
1 NPN, 1 PNP-pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova NSBC115EPDXV6T1G
NSBC115EPDXV6T1G Elektronické komponenty
NSBC115EPDXV6T1G Odbyt
NSBC115EPDXV6T1G Dodavatel
NSBC115EPDXV6T1G Distributor
NSBC115EPDXV6T1G Datová tabulka
NSBC115EPDXV6T1G Fotky
NSBC115EPDXV6T1G Cena
NSBC115EPDXV6T1G Nabídka
NSBC115EPDXV6T1G Nejnižší cena
NSBC115EPDXV6T1G Vyhledávání
NSBC115EPDXV6T1G Nákup
NSBC115EPDXV6T1G Chip