onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSBC114EDXV6T1G 2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)

NSBC114EDXV6T1G

2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
Číslo dílu
NSBC114EDXV6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-563
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74470 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NSBC114EDXV6T1G
NSBC114EDXV6T1G Elektronické komponenty
NSBC114EDXV6T1G Odbyt
NSBC114EDXV6T1G Dodavatel
NSBC114EDXV6T1G Distributor
NSBC114EDXV6T1G Datová tabulka
NSBC114EDXV6T1G Fotky
NSBC114EDXV6T1G Cena
NSBC114EDXV6T1G Nabídka
NSBC114EDXV6T1G Nejnižší cena
NSBC114EDXV6T1G Vyhledávání
NSBC114EDXV6T1G Nákup
NSBC114EDXV6T1G Chip