onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NSBC114TDXV6T1G 2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)

NSBC114TDXV6T1G

2 NPN-Prebiased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistors (BRT)
Číslo dílu
NSBC114TDXV6T1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-563
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce both system cost and board space.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 71250 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1G Elektronické komponenty
NSBC114TDXV6T1G Odbyt
NSBC114TDXV6T1G Dodavatel
NSBC114TDXV6T1G Distributor
NSBC114TDXV6T1G Datová tabulka
NSBC114TDXV6T1G Fotky
NSBC114TDXV6T1G Cena
NSBC114TDXV6T1G Nabídka
NSBC114TDXV6T1G Nejnižší cena
NSBC114TDXV6T1G Vyhledávání
NSBC114TDXV6T1G Nákup
NSBC114TDXV6T1G Chip