onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NJVMJD41CT4G NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor

NJVMJD41CT4G

NPN 100V 6A 6.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
NJVMJD41CT4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 85182 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NJVMJD41CT4G
NJVMJD41CT4G Elektronické komponenty
NJVMJD41CT4G Odbyt
NJVMJD41CT4G Dodavatel
NJVMJD41CT4G Distributor
NJVMJD41CT4G Datová tabulka
NJVMJD41CT4G Fotky
NJVMJD41CT4G Cena
NJVMJD41CT4G Nabídka
NJVMJD41CT4G Nejnižší cena
NJVMJD41CT4G Vyhledávání
NJVMJD41CT4G Nákup
NJVMJD41CT4G Chip