onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NJVMJD122T4G NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor

NJVMJD122T4G

NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
NJVMJD122T4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This Darlington bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. The MJD122 (NPN) and MJD127 (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50959 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NJVMJD122T4G
NJVMJD122T4G Elektronické komponenty
NJVMJD122T4G Odbyt
NJVMJD122T4G Dodavatel
NJVMJD122T4G Distributor
NJVMJD122T4G Datová tabulka
NJVMJD122T4G Fotky
NJVMJD122T4G Cena
NJVMJD122T4G Nabídka
NJVMJD122T4G Nejnižší cena
NJVMJD122T4G Vyhledávání
NJVMJD122T4G Nákup
NJVMJD122T4G Chip