onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NJVMJD112T4G NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor

NJVMJD112T4G

NPN 100V 2A 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
NJVMJD112T4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 94228 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NJVMJD112T4G
NJVMJD112T4G Elektronické komponenty
NJVMJD112T4G Odbyt
NJVMJD112T4G Dodavatel
NJVMJD112T4G Distributor
NJVMJD112T4G Datová tabulka
NJVMJD112T4G Fotky
NJVMJD112T4G Cena
NJVMJD112T4G Nabídka
NJVMJD112T4G Nejnižší cena
NJVMJD112T4G Vyhledávání
NJVMJD112T4G Nákup
NJVMJD112T4G Chip