onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MJD31CT4G
NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
MJD31CT4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
TO-252-2(DPAK)
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 79690 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MJD31CT4G
MJD31CT4G Elektronické komponenty
MJD31CT4G Odbyt
MJD31CT4G Dodavatel
MJD31CT4G Distributor
MJD31CT4G Datová tabulka
MJD31CT4G Fotky
MJD31CT4G Cena
MJD31CT4G Nabídka
MJD31CT4G Nejnižší cena
MJD31CT4G Vyhledávání
MJD31CT4G Nákup
MJD31CT4G Chip