onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MJD31C1G
NPN 100V 3A 3.0 A, 100 V, NPN Bipolar Power Transistor
Číslo dílu
MJD31C1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
IPAK
Balení
Tube
Počet balíků
75
Popis
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. MJD31, MJD31C (NPN) and MJD32, MJD32C (PNP) are complementary devices.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 68577 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MJD31C1G
MJD31C1G Elektronické komponenty
MJD31C1G Odbyt
MJD31C1G Dodavatel
MJD31C1G Distributor
MJD31C1G Datová tabulka
MJD31C1G Fotky
MJD31C1G Cena
MJD31C1G Nabídka
MJD31C1G Nejnižší cena
MJD31C1G Vyhledávání
MJD31C1G Nákup
MJD31C1G Chip