LGE (Lu Guang)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LGE3D20120H
1.2kV 20A 1.45V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)
Číslo dílu
LGE3D20120H
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
LGE (Lu Guang)
Encapsulation
TO-247-2L
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 1.2kV Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.45V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can Provides excellent switching performance with higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51700 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LGE3D20120H
LGE3D20120H Elektronické komponenty
LGE3D20120H Odbyt
LGE3D20120H Dodavatel
LGE3D20120H Distributor
LGE3D20120H Datová tabulka
LGE3D20120H Fotky
LGE3D20120H Cena
LGE3D20120H Nabídka
LGE3D20120H Nejnižší cena
LGE3D20120H Vyhledávání
LGE3D20120H Nákup
LGE3D20120H Chip