LGE (Lu Guang)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
LGE3D20065H
650V 20A 1.5V@20A Silicon carbideSilicon carbide (SiC)
Číslo dílu
LGE3D20065H
Kategorie
diode > Schottky diode
Výrobce/značka
LGE (Lu Guang)
Encapsulation
TO-247-2
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
Diode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 650V Average rectified current (Io): 20A Forward voltage drop (Vf): 1.5V@20Adiode configuration: Independent DC reverse withstand voltage (Vr): 650V average Rectified current (Io): 25A Forward voltage drop (Vf): 1.5V@20A \n Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses new technology, which can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics and excellent thermal performance of Silicon carbide
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 89106 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova LGE3D20065H
LGE3D20065H Elektronické komponenty
LGE3D20065H Odbyt
LGE3D20065H Dodavatel
LGE3D20065H Distributor
LGE3D20065H Datová tabulka
LGE3D20065H Fotky
LGE3D20065H Cena
LGE3D20065H Nabídka
LGE3D20065H Nejnižší cena
LGE3D20065H Vyhledávání
LGE3D20065H Nákup
LGE3D20065H Chip