inventchip (Zhenxin Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IV1Q12017T4G
IV1Q12017T4G
Číslo dílu
IV1Q12017T4G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
inventchip (Zhenxin Electronics)
Encapsulation
TO-247-4
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
Silicon carbide MOS1200V17mΩ
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 74265 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
1200V, 50mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V50mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 50mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V50mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 80mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V80mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 80mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V80mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 160mΩ Silicon Carbide MOSFET automotive grade Silicon Carbide MOS1200V160mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
Klíčová slova IV1Q12017T4G
IV1Q12017T4G Elektronické komponenty
IV1Q12017T4G Odbyt
IV1Q12017T4G Dodavatel
IV1Q12017T4G Distributor
IV1Q12017T4G Datová tabulka
IV1Q12017T4G Fotky
IV1Q12017T4G Cena
IV1Q12017T4G Nabídka
IV1Q12017T4G Nejnižší cena
IV1Q12017T4G Vyhledávání
IV1Q12017T4G Nákup
IV1Q12017T4G Chip