inventchip (Zhenxin Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IV1Q06060T3G
650V, 60mΩ SiC MOSFET SiC MOS650V60mΩ
Číslo dílu
IV1Q06060T3G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
inventchip (Zhenxin Electronics)
Encapsulation
TO247-3
Balení
Tube
Počet balíků
30
Popis
650V, 60mΩ SiC MOSFET
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 63663 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
1200V, 50mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V50mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 50mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V50mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 80mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V80mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 80mΩ Silicon Carbide MOSFET Automotive Grade Silicon Carbide MOS1200V80mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
1200V, 160mΩ Silicon Carbide MOSFET automotive grade Silicon Carbide MOS1200V160mΩ
inventchip (Zhenxin Electronics)
Klíčová slova IV1Q06060T3G
IV1Q06060T3G Elektronické komponenty
IV1Q06060T3G Odbyt
IV1Q06060T3G Dodavatel
IV1Q06060T3G Distributor
IV1Q06060T3G Datová tabulka
IV1Q06060T3G Fotky
IV1Q06060T3G Cena
IV1Q06060T3G Nabídka
IV1Q06060T3G Nejnižší cena
IV1Q06060T3G Vyhledávání
IV1Q06060T3G Nákup
IV1Q06060T3G Chip