onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDY102PZ
P-channel 20V 830mA P-channel (-1.5V) specified PowerTrench MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω
Číslo dílu
FDY102PZ
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-89-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This single P-channel MOSFET is designed using an advanced Power Trench process to optimize rDS(on)@VGS = –1.5 V.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 96991 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 P-Channel 20V 830mA Dual P-Channel, (-1.5 V) Specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 350mA P-channel, (-2.5 V) specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.35A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 150mA P-channel, -2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.15A, 8Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 830mA P-channel (-1.5V) specified PowerTrench MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDY102PZ
FDY102PZ Elektronické komponenty
FDY102PZ Odbyt
FDY102PZ Dodavatel
FDY102PZ Distributor
FDY102PZ Datová tabulka
FDY102PZ Fotky
FDY102PZ Cena
FDY102PZ Nabídka
FDY102PZ Nejnižší cena
FDY102PZ Vyhledávání
FDY102PZ Nákup
FDY102PZ Chip