onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDY1002PZ
2 P-Channel 20V 830mA Dual P-Channel, (-1.5 V) Specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.83A, 0.5Ω
Číslo dílu
FDY1002PZ
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SC-89-6
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This dual P-channel MOSFET is designed using an advanced Power Trench process to optimize rDS(on)@VGS = –1.5 V.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 98658 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
2 P-Channel 20V 830mA Dual P-Channel, (-1.5 V) Specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 350mA P-channel, (-2.5 V) specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.35A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 150mA P-channel, -2.5V specified, PowerTrench MOSFET, -20V, -0.15A, 8Ω
onsemi (Ansemi)
P-channel 20V 830mA P-channel (-1.5V) specified PowerTrench MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDY1002PZ
FDY1002PZ Elektronické komponenty
FDY1002PZ Odbyt
FDY1002PZ Dodavatel
FDY1002PZ Distributor
FDY1002PZ Datová tabulka
FDY1002PZ Fotky
FDY1002PZ Cena
FDY1002PZ Nabídka
FDY1002PZ Nejnižší cena
FDY1002PZ Vyhledávání
FDY1002PZ Nákup
FDY1002PZ Chip