onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDT457N N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ

FDT457N

N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
Číslo dílu
FDT457N
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-223-4
Balení
taping
Počet balíků
4000
Popis
These N-channel enhancement mode field effect transistors are produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideally suited to minimize on-resistance and provide excellent switching performance. These products are ideal for low-voltage, low-current applications such as notebook computer power management, battery-powered circuits, and DC motor control.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 57149 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDT457N
FDT457N Elektronické komponenty
FDT457N Odbyt
FDT457N Dodavatel
FDT457N Distributor
FDT457N Datová tabulka
FDT457N Fotky
FDT457N Cena
FDT457N Nabídka
FDT457N Nejnižší cena
FDT457N Vyhledávání
FDT457N Nákup
FDT457N Chip