VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDT434P-VB
P-channel 35V 6.2A
Číslo dílu
FDT434P-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT-223
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 66514 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 30V 6.3A N-Channel, 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 6.3A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 500V 2A Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 Ω, SOT223
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova FDT434P-VB
FDT434P-VB Elektronické komponenty
FDT434P-VB Odbyt
FDT434P-VB Dodavatel
FDT434P-VB Distributor
FDT434P-VB Datová tabulka
FDT434P-VB Fotky
FDT434P-VB Cena
FDT434P-VB Nabídka
FDT434P-VB Nejnižší cena
FDT434P-VB Vyhledávání
FDT434P-VB Nákup
FDT434P-VB Chip