onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMD8630 Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ

FDMD8630

Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 30 V, 167 A, 1.0 mΩ
Číslo dílu
FDMD8630
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PQFN-8
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This encapsulation integrates two internally connected N-channel devices in a common-source configuration. This results in extremely low encapsulation parasitics and an optimized thermal path to the bottom common source pad. Offers an extremely small footprint (5 x 6 mm), enabling higher power density.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 72128 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDMD8630
FDMD8630 Elektronické komponenty
FDMD8630 Odbyt
FDMD8630 Dodavatel
FDMD8630 Distributor
FDMD8630 Datová tabulka
FDMD8630 Fotky
FDMD8630 Cena
FDMD8630 Nabídka
FDMD8630 Nejnižší cena
FDMD8630 Vyhledávání
FDMD8630 Nákup
FDMD8630 Chip