onsemi (Ansemi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDMD86100
Dual N-Channel Gate Shielded PowerTrench MOSFETs
Číslo dílu
FDMD86100
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
PDFN-8(5x6)
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
The encapsulation integrates two N-channel devices connected internally in a common-source configuration and uses gate shielding techniques. This greatly reduces the parasitic effect of encapsulation and optimizes the heat transfer path to the bottom common source pad. High power density is achieved in an extremely small size (5 x 6 mm).
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 59331 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDMD86100
FDMD86100 Elektronické komponenty
FDMD86100 Odbyt
FDMD86100 Dodavatel
FDMD86100 Distributor
FDMD86100 Datová tabulka
FDMD86100 Fotky
FDMD86100 Cena
FDMD86100 Nabídka
FDMD86100 Nejnižší cena
FDMD86100 Vyhledávání
FDMD86100 Nákup
FDMD86100 Chip