VBsemi (Wei Bi)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BVSS138LT1G-VB
BVSS138LT1G-VB
Číslo dílu
BVSS138LT1G-VB
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
N-channel, 60V, 0.3A, RDS(ON), 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.6Vth(V); SOT23
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 86342 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 100V 170mA Single N-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 6Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 50V 200mA Single N-Channel Logic Level Small Signal MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 50V 130mA Single P-Channel Logic Level Power MOSFET -50V -130mA 10Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova BVSS138LT1G-VB
BVSS138LT1G-VB Elektronické komponenty
BVSS138LT1G-VB Odbyt
BVSS138LT1G-VB Dodavatel
BVSS138LT1G-VB Distributor
BVSS138LT1G-VB Datová tabulka
BVSS138LT1G-VB Fotky
BVSS138LT1G-VB Cena
BVSS138LT1G-VB Nabídka
BVSS138LT1G-VB Nejnižší cena
BVSS138LT1G-VB Vyhledávání
BVSS138LT1G-VB Nákup
BVSS138LT1G-VB Chip