MSKSEMI (Mesenco)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
Číslo dílu
BVSS138LT1G
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 55V Continuous drain current (Id): 0.3A Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V ,0.2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V-1.6V@250uA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88325 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
N-Channel 100V 170mA Single N-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 6Ω
onsemi (Ansemi)
N-Channel 50V 200mA Single N-Channel Logic Level Small Signal MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω
onsemi (Ansemi)
P-Channel 50V 130mA Single P-Channel Logic Level Power MOSFET -50V -130mA 10Ω
onsemi (Ansemi)
Klíčová slova BVSS138LT1G
BVSS138LT1G Elektronické komponenty
BVSS138LT1G Odbyt
BVSS138LT1G Dodavatel
BVSS138LT1G Distributor
BVSS138LT1G Datová tabulka
BVSS138LT1G Fotky
BVSS138LT1G Cena
BVSS138LT1G Nabídka
BVSS138LT1G Nejnižší cena
BVSS138LT1G Vyhledávání
BVSS138LT1G Nákup
BVSS138LT1G Chip