AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM665E AGM665E

AGM665E

AGM665E
Číslo dílu
AGM665E
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
SOT23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 3A Power (Pd): 1.5W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 60mΩ@10V, 3A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 8.8nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.4nF@30V, Vds=60v Id=3A Rds=60mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 86432 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM665E
AGM665E Elektronické komponenty
AGM665E Odbyt
AGM665E Dodavatel
AGM665E Distributor
AGM665E Datová tabulka
AGM665E Fotky
AGM665E Cena
AGM665E Nabídka
AGM665E Nejnižší cena
AGM665E Vyhledávání
AGM665E Nákup
AGM665E Chip