AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM603D N-channel 60V 130A 2.8mΩ

AGM603D

N-channel 60V 130A 2.8mΩ
Číslo dílu
AGM603D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 130A Power (Pd): 140W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 66nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.377nF@25V, Vds=60V Id=130A Rds=2.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 81628 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM603D
AGM603D Elektronické komponenty
AGM603D Odbyt
AGM603D Dodavatel
AGM603D Distributor
AGM603D Datová tabulka
AGM603D Fotky
AGM603D Cena
AGM603D Nabídka
AGM603D Nejnižší cena
AGM603D Vyhledávání
AGM603D Nákup
AGM603D Chip