AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM602C N-channel 60V 210A 2.3mΩ

AGM602C

N-channel 60V 210A 2.3mΩ
Číslo dílu
AGM602C
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-220
Balení
Tube
Počet balíků
50
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 210A Power (Pd): 186W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 93nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.8nF@30V, Vds=60V Id=210A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 75985 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM602C
AGM602C Elektronické komponenty
AGM602C Odbyt
AGM602C Dodavatel
AGM602C Distributor
AGM602C Datová tabulka
AGM602C Fotky
AGM602C Cena
AGM602C Nabídka
AGM602C Nejnižší cena
AGM602C Vyhledávání
AGM602C Nákup
AGM602C Chip