Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM615D
AGM615D
Číslo dílu
AGM615D
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Balení
taping
Počet balíků
2500
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 45A Power (Pd): 40W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.62V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 13nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.64nF@30V, Vds=60V Id=45A Rds=11.5mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.