Triode/MOS tube/transistor/module

Číslo dílu
VBsemi (Wei Bi)
Výrobci
Popis
96597 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Výrobci
Popis
50958 PCS
Na skladě
Číslo dílu
KY (Han Kyung Won)
Výrobci
Popis
92012 PCS
Na skladě
Číslo dílu
SHIKUES (Shike)
Výrobci
Popis
86832 PCS
Na skladě
Číslo dílu
TECH PUBLIC (Taizhou)
Výrobci
Popis
61480 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Infineon (Infineon)
Výrobci
N-channel 250V 57A
Popis
80269 PCS
Na skladě
Číslo dílu
IXYS
Výrobci
Popis
73402 PCS
Na skladě
Číslo dílu
ST (STMicroelectronics)
Výrobci
Popis
68636 PCS
Na skladě
Číslo dílu
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
Popis
66854 PCS
Na skladě
Číslo dílu
minos (Minos)
Výrobci
Popis
69209 PCS
Na skladě
Číslo dílu
FM (Fuman)
Výrobci
Dual N-channel, common drain. 20V, 6A, 25mΩ@10V
Popis
67163 PCS
Na skladě
Číslo dílu
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
-
Popis
87911 PCS
Na skladě
Číslo dílu
APM (Jonway Microelectronics)
Výrobci
Popis
89745 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Infineon (Infineon)
Výrobci
N-channel, 200V, 9.1A, 80mΩ@10V
Popis
95110 PCS
Na skladě
Číslo dílu
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
Výrobci
Popis
62412 PCS
Na skladě
Číslo dílu
VISHAY (Vishay)
Výrobci
Popis
70498 PCS
Na skladě
Číslo dílu
DIODES (US and Taiwan)
Výrobci
Popis
69929 PCS
Na skladě
Číslo dílu
Jilin Huawei
Výrobci
N-channel 600V 4A
Popis
82468 PCS
Na skladě
Číslo dílu
AGM-Semi (core control source)
Výrobci
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=5.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Popis
62248 PCS
Na skladě
Číslo dílu
KODENSHI AUK (Photonics)
Výrobci
N-channel, 600V, 4A, 2.5Ω@10V
Popis
82429 PCS
Na skladě