AGM-Semi (core control source)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
AGM1099E AGM1099E

AGM1099E

AGM1099E
Číslo dílu
AGM1099E
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
SOT-23-3
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=5.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 62248 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova AGM1099E
AGM1099E Elektronické komponenty
AGM1099E Odbyt
AGM1099E Dodavatel
AGM1099E Distributor
AGM1099E Datová tabulka
AGM1099E Fotky
AGM1099E Cena
AGM1099E Nabídka
AGM1099E Nejnižší cena
AGM1099E Vyhledávání
AGM1099E Nákup
AGM1099E Chip