Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
TK8Q65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Číslo dílu
TK8Q65W,S1Q
Výrobce/značka
Série
DTMOSIV
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
80W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 300µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 300V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23180 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova TK8Q65W,S1Q
TK8Q65W,S1Q Elektronické komponenty
TK8Q65W,S1Q Odbyt
TK8Q65W,S1Q Dodavatel
TK8Q65W,S1Q Distributor
TK8Q65W,S1Q Datová tabulka
TK8Q65W,S1Q Fotky
TK8Q65W,S1Q Cena
TK8Q65W,S1Q Nabídka
TK8Q65W,S1Q Nejnižší cena
TK8Q65W,S1Q Vyhledávání
TK8Q65W,S1Q Nákup
TK8Q65W,S1Q Chip