Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STW58N65DM2AG
MOSFET N-CH 650V 48A
Číslo dílu
STW58N65DM2AG
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
360W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49631 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG Elektronické komponenty
STW58N65DM2AG Odbyt
STW58N65DM2AG Dodavatel
STW58N65DM2AG Distributor
STW58N65DM2AG Datová tabulka
STW58N65DM2AG Fotky
STW58N65DM2AG Cena
STW58N65DM2AG Nabídka
STW58N65DM2AG Nejnižší cena
STW58N65DM2AG Vyhledávání
STW58N65DM2AG Nákup
STW58N65DM2AG Chip