Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STW54NM65ND
MOSFET N-CH 650V 59A TO-247
Číslo dílu
STW54NM65ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247-3
Ztráta energie (max.)
350W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
188nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6200pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37371 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STW54NM65ND
STW54NM65ND Elektronické komponenty
STW54NM65ND Odbyt
STW54NM65ND Dodavatel
STW54NM65ND Distributor
STW54NM65ND Datová tabulka
STW54NM65ND Fotky
STW54NM65ND Cena
STW54NM65ND Nabídka
STW54NM65ND Nejnižší cena
STW54NM65ND Vyhledávání
STW54NM65ND Nákup
STW54NM65ND Chip