Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Číslo dílu
STU8N65M5
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ V
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23966 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU8N65M5
STU8N65M5 Elektronické komponenty
STU8N65M5 Odbyt
STU8N65M5 Dodavatel
STU8N65M5 Distributor
STU8N65M5 Datová tabulka
STU8N65M5 Fotky
STU8N65M5 Cena
STU8N65M5 Nabídka
STU8N65M5 Nejnižší cena
STU8N65M5 Vyhledávání
STU8N65M5 Nákup
STU8N65M5 Chip