Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Číslo dílu
STU6N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
226pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10281 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU6N65M2
STU6N65M2 Elektronické komponenty
STU6N65M2 Odbyt
STU6N65M2 Dodavatel
STU6N65M2 Distributor
STU6N65M2 Datová tabulka
STU6N65M2 Fotky
STU6N65M2 Cena
STU6N65M2 Nabídka
STU6N65M2 Nejnižší cena
STU6N65M2 Vyhledávání
STU6N65M2 Nákup
STU6N65M2 Chip