Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU3N65M6
MOSFET N-CHANNEL 650V 3.5A IPAK
Číslo dílu
STU3N65M6
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M6
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.75V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5341 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU3N65M6
STU3N65M6 Elektronické komponenty
STU3N65M6 Odbyt
STU3N65M6 Dodavatel
STU3N65M6 Distributor
STU3N65M6 Datová tabulka
STU3N65M6 Fotky
STU3N65M6 Cena
STU3N65M6 Nabídka
STU3N65M6 Nejnižší cena
STU3N65M6 Vyhledávání
STU3N65M6 Nákup
STU3N65M6 Chip