Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Číslo dílu
STU1HN60K3
Výrobce/značka
Série
SuperMESH3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
27W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21949 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU1HN60K3
STU1HN60K3 Elektronické komponenty
STU1HN60K3 Odbyt
STU1HN60K3 Dodavatel
STU1HN60K3 Distributor
STU1HN60K3 Datová tabulka
STU1HN60K3 Fotky
STU1HN60K3 Cena
STU1HN60K3 Nabídka
STU1HN60K3 Nejnižší cena
STU1HN60K3 Vyhledávání
STU1HN60K3 Nákup
STU1HN60K3 Chip