Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
Číslo dílu
STU10NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9968 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU10NM60N
STU10NM60N Elektronické komponenty
STU10NM60N Odbyt
STU10NM60N Dodavatel
STU10NM60N Distributor
STU10NM60N Datová tabulka
STU10NM60N Fotky
STU10NM60N Cena
STU10NM60N Nabídka
STU10NM60N Nejnižší cena
STU10NM60N Vyhledávání
STU10NM60N Nákup
STU10NM60N Chip