STS6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Číslo dílu
STS6P3LLH6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.7W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 24V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27353 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STS6P3LLH6
STS6P3LLH6 Elektronické komponenty
STS6P3LLH6 Odbyt
STS6P3LLH6 Dodavatel
STS6P3LLH6 Distributor
STS6P3LLH6 Datová tabulka
STS6P3LLH6 Fotky
STS6P3LLH6 Cena
STS6P3LLH6 Nabídka
STS6P3LLH6 Nejnižší cena
STS6P3LLH6 Vyhledávání
STS6P3LLH6 Nákup
STS6P3LLH6 Chip