STQ2NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Číslo dílu
STQ2NK60ZR-AP
Výrobce/značka
Série
SuperMESH™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-92-3
Ztráta energie (max.)
3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22008 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STQ2NK60ZR-AP
STQ2NK60ZR-AP Elektronické komponenty
STQ2NK60ZR-AP Odbyt
STQ2NK60ZR-AP Dodavatel
STQ2NK60ZR-AP Distributor
STQ2NK60ZR-AP Datová tabulka
STQ2NK60ZR-AP Fotky
STQ2NK60ZR-AP Cena
STQ2NK60ZR-AP Nabídka
STQ2NK60ZR-AP Nejnižší cena
STQ2NK60ZR-AP Vyhledávání
STQ2NK60ZR-AP Nákup
STQ2NK60ZR-AP Chip