Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STP80N10F7
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
Číslo dílu
STP80N10F7
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10434 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STP80N10F7
STP80N10F7 Elektronické komponenty
STP80N10F7 Odbyt
STP80N10F7 Dodavatel
STP80N10F7 Distributor
STP80N10F7 Datová tabulka
STP80N10F7 Fotky
STP80N10F7 Cena
STP80N10F7 Nabídka
STP80N10F7 Nejnižší cena
STP80N10F7 Vyhledávání
STP80N10F7 Nákup
STP80N10F7 Chip