STH80N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Číslo dílu
STH80N10F7-2
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
H2Pak-2
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23882 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STH80N10F7-2
STH80N10F7-2 Elektronické komponenty
STH80N10F7-2 Odbyt
STH80N10F7-2 Dodavatel
STH80N10F7-2 Distributor
STH80N10F7-2 Datová tabulka
STH80N10F7-2 Fotky
STH80N10F7-2 Cena
STH80N10F7-2 Nabídka
STH80N10F7-2 Nejnižší cena
STH80N10F7-2 Vyhledávání
STH80N10F7-2 Nákup
STH80N10F7-2 Chip