Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STF8N60DM2

STF8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Číslo dílu
STF8N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FP
Ztráta energie (max.)
25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
449pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10839 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STF8N60DM2
STF8N60DM2 Elektronické komponenty
STF8N60DM2 Odbyt
STF8N60DM2 Dodavatel
STF8N60DM2 Distributor
STF8N60DM2 Datová tabulka
STF8N60DM2 Fotky
STF8N60DM2 Cena
STF8N60DM2 Nabídka
STF8N60DM2 Nejnižší cena
STF8N60DM2 Vyhledávání
STF8N60DM2 Nákup
STF8N60DM2 Chip